1. transistor，屏幕tft是什么？
TFT(Thin Film Transistor)即薄膜场效应晶体管，它可以“主动地”对屏幕上的各个独立的像素进行控制，这样可以大大提高反应时间。一般TFT的反应时间比较快，约80毫秒，而且可视角度大，一般可达到130度左右，主要运用在高端产品。从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器，在技术上采用了“主动式矩阵”的方式来驱动，方法是利用薄膜技术所作成的电晶体电极，利用扫描的方法“主动拉”控制任意一个显示点的开与关，光源照射时先通过下偏光板向上透出，借助液晶分子传导光线，通过遮光和透光来达到显示的目的。
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新一代的彩屏手机中很多都支持65536色显示，有的甚至支持16万色显示，这时TFT的高对比度，色彩丰富的优势就非常重要了。
TFT型的液晶显示器主要的构成包括：萤光管、导光板、偏光板、滤光板、玻璃基板、配向膜、液晶材料、薄模式晶体管等等。
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TFT还改善了STN会闪烁(水波纹)模糊的现象，有效地提高了播放动态画面的能力。与STN相比TFT有出色的色彩饱和度、还原能力和更高的对比度，但是缺点就是比较耗电，而且成本也比较高。
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TFT液晶为每个像素都设有一个半导体开关，每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因而每个节点都相对独立，并可以连续控制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，所以TFT液晶的色彩更真。TFT液晶显示屏的特点是亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳，但也存在着比较耗电和成本较高的不足。TFT液晶技术加快了手机彩屏的发展。新一代的彩屏手机中很多都支持65536色显示，有的甚至支持16万色显示，这时TFT的高对比度，色彩丰富的优势就非常重要了。
2. igbt容量是什么？
为绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor)，所以它是一个有MOS Gate的BJT晶体管。他是MOSFET和BJT的组合体。，MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电，所以BJT的驱 动电流会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的，没有额外的控制端功率损耗。IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的，兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)。从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
3. 晶体管的寿命多少年？
晶体管也比真空管要长寿得多。一只晶体管的平均寿命可达75 000小时，即使每天工作8小时，也可以连续用上25年。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。
4. 结型管和mos管区别？
结型管和MOS管是两种不同的半导体器件，它们在结构和应用上有一些区别。
结构：结型管是一种半导体器件，由两个掺杂的半导体层组成，中间夹着一个隔离层。结型管的结构类似于一个二极管，具有单向导电性。
应用：结型管主要用于低频、低压、低功率的电路中，如音频放大器、射频电路等。结型管具有较低的噪声系数和较低的功率消耗，适用于对信号质量要求不高的应用。
制造工艺：结型管的制造工艺相对简单，通常采用扩散工艺或溅射工艺进行制造。
应用领域：结型管广泛应用于音频放大器、射频电路、通信设备、传感器等领域。MOS管是一种半导体器件，由三个掺杂的半导体层组成，中间夹着一个隔离层。MOS管的结构类似于一个三极管，具有单向导电性。
应用：MOS管广泛应用于数字电路、模拟电路、功率放大器、开关电路等领域。
制造工艺：MOS管的制造工艺相对复杂，通常采用化学气相沉积（CVD）或金属有机化合物（MOC）工艺进行制造。
应用领域：MOS管广泛应用于计算机、通信、汽车电子、医疗设备等领域。总结来说，结型管和MOS管在结构和应用上有一些区别，结型管适用于低频、低压、低功率的电路，而MOS管适用于数字电路、模拟电路、功率放大器等领域。
5. TTL主要器件是什么？
TTL（Transistor-Transistor Logic）主要器件是由晶体管和电阻器构成的数字逻辑门电路。它被广泛应用于计算机和通信领域，用于实现数字逻辑功能。TTL主要包括与门、或门、非门、异或门等多种逻辑门电路。它具有低功耗、高速度和稳定性等优点，适用于高频率和高速度的数字信号处理。TTL主要用于数字电路的设计和实现，常见于计算机硬件、集成电路和通信设备等领域。它在数字电路中起到重要的作用，帮助实现信号处理、数据传输和逻辑运算等功能。
6. IGBT名词解释？
IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
7. fet有哪两种类型？
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。
由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET
